11月22日，晶盛机电披露最新调研纪要称，公司自 2017 年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发，相继成功开发 6 英寸、8 英寸碳化硅晶体和衬底片，是国内为数不多能供应 8 英寸衬底片的企业。此前公司已建设了 6-8 英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线，6 英寸衬底片已通过多家下游企业验证，并实现批量销售，8 英寸衬底片处于下游企业验证阶段。



晶盛机电指出，近期公司举行了“年产 25 万片 6 英寸、5 万片 8 英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式，旨在加快半导体材料端的关键核心技术攻关，实现国产化替代，这一举措标志着晶盛机电在半导体材料领域的技术实力和市场竞争力将进一步提升。



半导体设备业务方面，目前晶盛机电已基本实现 8-12 英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售，6 英寸碳化硅外延设备实现批量销售且订单量快速增长，成功研发出具有国际先进水平的 8 英寸单片式碳化硅外延生长设备，实现了成熟稳定的 8 英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸，开发出了应用于 8-12 英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD 设备、ALD 设备等。



截至到2023年三季度末，晶盛机电未完成设备订单287.50亿元，其中半导体设备订单33.03亿元。



在光伏装备领域，晶盛机电产品覆盖了硅片、电池和组件环节，为客户提供光伏整线解决方案。在电池端，公司开发了基于兼容多种电池技术的管式设备（PECVD、LPCVD、硼扩散炉、退火炉等）；在组件端，公司开发了含叠瓦焊机、排板机、边框自动上料机、灌胶检测仪等多道工序的组件设备产线。



关于公司第五代单晶炉超导磁场的产品优势，晶盛机电表示，公司推出的第五代单晶炉将大幅改善 N 型硅片品质、催生产能。公司将大规模运用于半导体领域的超导磁场技术导入光伏领域，彻底打开了低氧 N 型晶体生长的工艺窗口，实现小于 5ppm 的超低氧单晶硅稳定生长，彻底消除同心圆与提高少子寿命，拓宽了有效电阻率范围，给 N 型电池效率再次逼近理论极限带来可能，进一步为客户降本赋能，创造更高价值。