集微网消息，碳化硅单晶的制备一直是全球性技术难题，而高稳定性的晶体生长工艺则是其中最核心的技术。

作为第三代半导体碳化硅材料生产研发企业、中国电科集团“十二大创新平台”之一，山西烁科晶体有限公司聚焦碳化硅单晶衬底领域，已成为国内实现碳化硅衬底材料供应链自主创新的供应商之一。

烁科晶体核心团队自2009年就致力于碳化硅材料研发，涵盖碳化硅生长设备制造、粉料合成、晶体生长及衬底加工等，先后突破高纯度碳化硅粉料合成技术、低缺陷大直径碳化硅单晶生长工艺技术及超平坦碳化硅衬底加工技术等核心技术难题。烁科晶体表示，公司在国内率先突破8英寸高纯半绝缘及导电型衬底制备技术，并已实现小批量销售，工艺技术达到国际先进水平。

烁科晶体凭借8英寸导电N型碳化硅衬底4N48竞逐IC风云榜“年度优秀创新产品奖”。通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅同质外延片，可进一步制备肖特基二极管、MOSFET等功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域。

烁科晶体2018年度获得山西省优秀技术攻关团队，2019年作为配套单位获得“国家科技进步一等奖”，烁科晶体也取得了国家级专精特新“小巨人”企业、山西省制造业单项冠军企业、山西省第三代半导体产业链“链主”企业、山西省碳化硅材料工程研究中心、山西省碳化硅材料中试基地建设依托单位等荣誉资质。

烁科晶体表示，将向着“成为国内卓越、世界一流的碳化硅材料供应商”的企业愿景不断迈进。