在“碳达峰碳中和”大背景下，电气化发展和电能的高效利用成为全球能源变革的重要发展方向。作为宽禁带半导体材料的代表，碳化硅衬底材料凭借其独特的物理特性，在多个下游领域中通过降低电能转换损耗、提高能量转换效率，达到减排增效的效果。

据测算，一颗碳化硅芯片在整个生命周期内可以节省一吨二氧化碳当量。目前，碳化硅衬底材料和器件凭借其减排增效的特性，已经在新能源汽车领域展现了强劲的市场需求。在相同规格的条件下，碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可以大幅减小至原来的1/10，导通电阻也至少降低至原来的1/100。这导致碳化硅基MOSFET相较于硅基IGBT总能量损耗降低70%以上，相比使用硅半导体可以提高10%续航里程，从而节省大量电能，减少二氧化碳排放。

此外，碳化硅器件优异的物理性能还在轨道交通、新能源发电、储能、智能电网等实现“碳达峰碳中和”的重要手段中发挥作用，从发电、传输、存储、负载全方位提升能源使用效率，助力绿色低碳发展。例如，碳化硅芯片用在太阳能发电的逆变器上，比用硅基芯片功率密度提高3倍、体积减小40%-60%，损耗降低50%以上。随着碳化硅技术应用普及，其节能减排潜力将进一步释放，成为实现“双碳”目标的关键技术之一。

2023年12月，山东天岳先进科技股份有限公司成功入选中国工业碳达峰“领跑者”企业称号。天岳先进作为我国碳化硅半导体材料行业的领军企业，自主攻克了碳化硅晶体生长、衬底加工等一系列国际难题，掌握碳化硅衬底材料产业化核心关键技术。在上海SEMICON China 2025大会上，天岳先进发布了12英寸全系列碳化硅衬底，包括12英寸高纯半绝缘型、导电n型和导电p型碳化硅衬底。

碳化硅作为新一代低碳、绿色、节能的半导体材料，大尺寸新时代的到来，将进一步提升碳化硅对可持续发展的贡献，为绿色低碳发展注入新动力。