（来源：第三代半导体产业）

近日，三安光电通过其投资者关系平台正式宣布，位于湖南的三安半导体基地成功实现了8英寸碳化硅（SiC）芯片生产线的投产运营。该产线自启动建设至全线贯通，总用时不足一年，建设周期大幅短于行业平均水平，进度显著超出预期。

截至目前（2025年8月），湖南三安已初步构建起覆盖碳化硅衬底、外延及芯片制造的完整产业链条。具体产能布局包括：6英寸碳化硅晶圆月产能已达1.6万片，8英寸衬底月产能为1000片，外延月产能为2000片。此外，该基地还同步推进氮化镓业务，硅基氮化镓器件月产能也已达到2000片。

湖南三安碳化硅全产业链项目总投资规模高达160亿元人民币，致力于打造一个同时兼容6英寸和8英寸碳化硅技术的垂直整合型量产平台。据预估，项目全面满产后，可实现年产6英寸碳化硅晶圆36万片、8英寸碳化硅晶圆48万片的最大产能，将极大缓解国内新能源汽车、工业控制等领域对高端碳化硅器件的迫切需求。

值得注意的是，就在今年2月27日，三安光电还与全球半导体巨头意法半导体共同宣布，其合资建设的重庆碳化硅晶圆厂顺利完成产线调试，预计将在今年第四季度全面实现量产。

该工厂不仅是我国首条专注于车规级功率芯片的8英寸碳化硅大规模生产线，更标志着国产碳化硅器件正式迈入高端汽车电子供应链。全面量产后，预计每周可稳定产出约1万片符合车规级标准的碳化硅晶圆，为中国新能源汽车电驱系统和充电基础设施提供核心半导体支持。