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扬杰电子杰冠微电子申请碳化硅MOS器件相关专利,该结构可提碳化硅MOS器件耐压降功耗
信息来源: 发布日期:2026-07-24
来源:新浪证券-红岸工作室

7月25日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司、扬州杰冠微电子有限公司申请一项名为“一种具有ESD保护结构的高压碳化硅MOS器件及制造方法”的专利。申请公布号为CN122458456A,申请号为CN202610748281.1,申请公布日期为2026年7月24日,申请日期为2026年5月28日,发明人王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅,专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师郭翔,分类号H10D30/63、H10D30/01、H10D62/10、H10W42/60。

专利摘要显示,一种具有 ESD 保护结构的高压碳化硅MOS器件及制造方法。涉及碳化硅半导体功率器件技术领域。包括从下而上依次设置的漏极金属层、N+衬底、N‑外延层、P基区、N+区、第二隔离介质层和源极金属层;所述N‑外延层的第一区域设有从所述N+区侧部延伸至所述P基区内的P+区和从所述N+区侧部延伸至所述N‑外延层内的栅氧区;所述P+区、N+区和栅氧区形成器件有源区;所述N‑外延层的第二区域上设有ESD模块;所述ESD模块包括从所述N+区侧部延伸至N‑外延层内的SiC多晶填充层和包裹与所述SiC多晶填充层侧部与底部的第一隔离介质层;本发明有效阻断高压下的漏电通道,使器件的高压击穿电压提升10%~20%,静态功耗降低 30% 以上。

扬杰科技是国内功率半导体领域领先企业,主营功率半导体全产业链相关产品,具备深厚技术壁垒与产业布局优势。公司成立于2006年8月2日,2014年1月23日在深圳证券交易所上市,注册地与办公地均位于江苏省扬州市。

扬杰科技主营业务集研发、生产、销售于一体,聚焦功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域,所属申万行业为电子-半导体-分立器件,同时覆盖半导体产业、半导体、汽车芯片等热门概念板块。

2025年扬杰科技实现营业收入71.3亿元,在18家同行业可比公司中排名第3,仅次于*ST闻泰的312.53亿元与士兰微的130.52亿元,大幅高于39.84亿元的行业平均营收与13亿元的行业营收中位数;营收结构中半导体器件贡献62.57亿元,占比87.75%,半导体芯片贡献5.34亿元占比7.49%,其余营收来自其他补充业务及半导体硅片板块。同期公司实现净利润12.45亿元,位列18家同行业公司首位,远超第二名捷捷微电的4.76亿元,显著优于行业-3.38亿元的平均净利润水平与5933.85万元的行业净利润中位数,盈利表现领跑赛道。

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下:

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