1. 宽带隙提高了工作温度和可靠性
6h-sic 和4h-sic 的带隙宽度分别为3.0 ev 和3.25 ev，相应的本征温度在800 ° c 以上，即使带隙最窄的3c-sic 也有约2.3 ev 的带隙。采用碳化硅作为功率器件时，硅的最高工作温度可能超过600 ° c，带隙宽度为1.12 ev，理论最高工作温度为200 ° c，但当硅功率器件的结温大于150 ° c ー175 ° c 时，可靠性和性能指标都明显降低。
2.高击穿场强可以提高了耐压，减小了不同尺寸
半导体功率器件的击穿电压随高电子击穿电场的增大而增大。 另外，由于电子穿透场强增加，在杂质穿透密度增加的情况下，碳化硅功率器件漂移区的宽带可以减小，因此功率器件的尺寸可以减小。
3. 热导率增加功率密度
热导率指数越高，材料向环境导热的能力越强，器件的温升越低，器件的功率密度越高，更适合在高温环境下工作。
4. 抗辐射能力强，更适合在外太空环境中使用
在辐射发展环境下，碳化硅器件的抗中子辐射技术能力或者至少是硅的4倍，因此是制作具有耐高温、抗辐射的电力企业电子设备功率控制器件和大功率微波器件的优良传统材料。碳化硅二极管，号称反向恢复工作时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管，同时也适用于我们现在社会比较火的光伏并网中，以及对于一些学生追求经济高效的电源中。