随着新能源汽车、光伏等发展，对电力转换效率提出了更高的要求。相比于硅材料而言，碳化硅（SiC）具有耐高温、耐高压、耐高频等特性，能够在应用中实现节能增效。在新能源汽车的强劲推动下，碳化硅器件需求也迎来爆发式增长。

（SiC）碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁 带宽度是硅的 3 倍；导热率为硅的 4-5 倍；击穿电压为硅的 8-10 倍；电子饱和漂移 速率为硅的 2-3 倍

SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应 用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来 SiC大规模产业化推进的核心。

在碳化硅器件成本结构中，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一。目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6英寸，而用于功率器件的硅晶圆以8英寸为主，这意味着碳化硅单晶片所产芯片数量较少、碳化硅芯片制造成本较高,目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系。