碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的首选器件。

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。

使用SiC生产的半导体设备有多种，包括肖特基二极管。SiC肖特基二极管在1985年问世，又称热载流子二极管，通过金属和半导体接触形成肖特基势垒，实现整流。与普通PN结二极管相比，肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。

碳化硅的使用可以极快的切换，高频率操作，零恢复和温度无关的行为，再加我们的低电感RP包，这些二极管可以用在任向数量的快速开关二极管电路或高频转换器应用。

碳化硅二极管具有高效率、大功率、高频率的优势，在重型电机、工业设备中主要是用在高频电源的转换器上。

在新能源汽车中，SiC二极管主要是用于车载OBC和地面充电桩设备。

在光伏逆变器中，SiC二极管主要是用在前级MPPT电路，作为升压二极管使用。