碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题：由于材料属性，使得它具有比硅基半导体器件更高的最大结温、更小的损耗，以及更小的材料热阻系数等。因此，很多人宣称，当碳化硅功率器件应用于能源转换后，变频器系统将有更高的功率密度、更小的体积、更高的允许工作温度，以及更低的损耗，从而给应用系统带来更大优势。

与IGBT相比，SiC可以同时实现高耐压、低导通电阻、高频三个特性。在600V以上的应用中，对于Si材料来说，为了改善由于器件高压化所带来的导通电阻增大的问题，主要使用绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）等为代表的少数载流子器件。IGBT中，由于少数载流子积聚使得其在关断时存在拖尾电流，继而产生较大的开关损耗，并伴随发热。而SiC是具有快速器件结构特征的多数载流子器件，开关关断时没有拖尾电流，开关损耗减少74%。

SiC器件主要装载于电力电子设备中以实现电能转换。以逆变器为例，通过SiCMOSFET可实现交流电与直流电的转换；以新能源汽车为例，SiC功率器件主要应用于逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，以完成高效的电能转换。