UPS系统是电信、数据中心、医院、工业设施等众多应用的重要基础设施的重要备援电源。在数据中心供电系统中，模块化UPS由于体积小，功率密度大，便于扩展和维护，近年来得到越来越多的关注。而随着第三代半导体材料的蓬勃发展，特别是碳化硅二极管，由于其反向恢复电流小，反向恢复时间短，应用于模块化UPS中，可以提高UPS整机效率，满足IDC对PUE的要求。

碳化硅（SiC）是一种由硅和碳组成的半导体材料，SiC 材料具有 3 倍于硅材料的禁带宽度，10 倍于硅材料的临界击穿电场强度，3 倍于硅材料的热导率，更高的热导率表明碳化硅器件热阻可以做到更小。与传统基于硅的功率器件和其他选择方案相比，采用基于SiC的技术来设计UPS系统，将可极大提升这些基础设施运作的能源效率。

近年来，随着碳化硅材料和器件的发展，碳化硅二极管最先被应用到UPS中，对比IGBT器件，碳化硅MOSFET有着开关频率高，开关损耗小等优势，在UPS中使用，可以实现大功率UPS的高效化和高频化，实现整个数据中心的节能和碳减排目标。

SiC 器件在高温、高压、高开关频率、高功率密度领域发挥它独特的能力，SiC 器件有效地降低了系统的功率损耗，简化了变换器的拓扑结构，提高了系统效率。随着数据中心的高速发展，碳化硅器件也逐步在其配供电中得到使用。