第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

一、二、三代半导体什么区别？

区别一二三代半导体的，并不是技术的先进程度，而是材料。它们之间，不是一个替代关系，而应该是应用场合细分的关系。它们的应用场景有交叉，但不完全重合。

一、材料

第一代半导体材料，发明并实用于20世纪50年代，以硅（Si）、锗（Ge）为代表，特别是硅，构成了一切逻辑器件的基础，目前全球95%以上的半导体芯片和器件是用Si作为基础材料生产的。主要应用于集成电路的晶圆片和功率器件，如电脑的CPU、GPU、内存、手机的SoC等器件。

第二代半导体材料，发明并实用于20世纪80年代，主要是指化合物半导体材料，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。4G时代大部分通信设备的材料，都是砷化镓的应用领域。不过由于资源稀缺、大尺寸制备困难、价格贵等原因，尤其是砷有毒性、污染环境，第二代半导体材料应用受到很大局限。

第三代半导体材料，发明并实用于本世纪初年，涌现出了碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等具有宽禁带（Eg＞2.3eV）特性的新兴半导体材料，因此也被成为宽禁带半导体材料。碳化硅和氮化镓并称为第三代半导体材料的双雄。

二、带隙

第一代半导体材料，属于间接带隙，窄带隙；

第二代半导体材料，直接带隙，窄带隙；

第三代半导体材料，宽禁带，全组分直接带隙。和传统半导体材料相比，更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。

三、应用

第一代半导体材料主要用于分立器件和芯片制造；

第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，也是制作高性能微波、毫米波器件的优良材料，广泛应用在微波通信、光通信、卫星通信、光电器件、激光器和卫星导航等领域。

第三代半导体材料广泛用于制作高温、高频、大功率和抗辐射电子器件，应用于半导体照明、5G通信、卫星通信、光通信、电力电子、航空航天等领域。第三代半导体材料已被认为是当今电子产业发展的新动力。

资料来源：千际投行，资产信息网，国融证券

第三代半导体的优势？

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。