以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领域，发挥重要作用。

碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下里程数显著提高。

优异的性能使得碳化硅材料应用领域广阔，电动车逆变器是碳化硅功率器件最为主要的市场，在相同功率下，碳化硅模块封装尺寸更小，损耗更低。碳化硅器件尺寸仅为同规格硅器件的 1/10，碳化硅 MOSFET 系统能量损失小于硅基 IGBT 的 1/4，这些优势也能够为终端产品带来显著的性能提升。

从碳化硅本身来看，其对传统硅基功率器件的替代是顺应时代和科技趋势的必然。下游需求的热点已经逐步从智能手机和 4G 为代表的移动互联网时代，转向智能汽车和 5G 为代表的的物联网时代，在新的时代背景下，功率器件大放异彩的机会已经来临。