据介绍，该产品由团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间曾损耗两台气相沉积炉，并攻克材料致密化、大尺寸成型、应力调控等技术难题。

在关键性能上，该衬底沉积速度达每小时 60 微米，明显高于国内外同行 10 至 20 微米的水平；最低电阻率可小于 1 毫欧 · 厘米，优于国外同行约 10 毫欧 · 厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米 0.1 个，有助于提升芯片良率。

该产品目前已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。项目正处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计 2027 年后逐步规模化供货。

该公司于 2026 年投资新建高纯高致密碳化硅部件及多晶衬底产业基地项目，全面投产后，可年产 20 万片半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层产品。

官方介绍称本次推出的国内首创 12 英寸 Poly-SiC 多晶衬底，实现多项关键指标突破：依托气相沉积、超临界多相法 TaC 涂层等自研核心技术，产品实现≥300W/(m・K) 超高热导率，已远超国际先进半导体材料厂商平均水平，同时实现零长裂纹、微裂纹，极低孔洞缺陷，具备优异的热学性能与结构稳定性，彻底打破大尺寸成型与高纯度制备国外技术垄断。