近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。

SiC是由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面的性质都非常稳定，SiC是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。

海通国际证券表示，国内企业方面，三安光电是国内首家实现SiC垂直产业链布局的公司，具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，产能目前处于爬坡阶段，公司预计25年配套年产能达36万片；天岳先进专注于碳化硅衬底，现年产能6.7万片，以4-6英寸半绝缘型为主。