集微网消息 12月22日，意法半导体官微宣布，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。

据介绍，理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET技术。

今年6月，三安光电与意法半导体在渝签署重庆市三安意法碳化硅项目合作协议。根据协议，意法半导体与三安光电将在渝成立合资公司，积极推动三安意法碳化硅项目建设。当天，意法半导体还与彭水县人民政府签署合作备忘录。

意法半导体集团总裁兼首席执行官让·马克·奇瑞说，我们将携手合作伙伴，与重庆一道，全力推动项目早日投产达产，更好支持中国的低碳发展、数字能源和电气化进程，履行企业社会责任，助力重庆高质量发展。

三安集团董事长林秀成说，将竭力以最先进的技术、最高精尖的设备、最有经验的管理团队、最成熟的产业发展经验，以最快速度推动项目早日建成投产，为重庆经济社会发展添砖加瓦。

意法半导体称，双方将在重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。新的SiC制造厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成，届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。

该合资厂将采用意法半导体SiC专利制造工艺技术，专门为其生产SiC器件，作为意法半导体专用晶圆代工厂以满足客户需求。该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元，其中未来5年的资本支出约为24亿美元。