金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅半导体器件及其制备方法“，公开号CN117316985A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，一种碳化硅半导体器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层，所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽；还包括：PW区，位于所述沟槽处；NP区，从所述沟槽的顶部向下延伸，包裹于所述PW区内；PP区，设置在所述沟槽处，位于所述NP区的下方；栅氧层，设置在相邻沟槽之间，位于所述碳化硅漂移层的顶面；Poly层，设置在所述栅氧层的顶面；隔离层，设置在所述Poly层上，并从侧部向下延伸至NP区；本发明一定程度上减小了N‑漂移层所带来的电阻，从而可降低体二极管的导通电阻，减少其在续流过程中产生的损耗。