项目名称：碳化硅晶片

研发单位：河北同光半导体股份有限公司

河北同光半导体股份有限公司主要进行碳化硅单晶衬底的研发和生产，目前已经攻克了“高纯碳化硅原料合成”“晶型和结晶质量控制”“籽晶特殊处理”等多个关键技术难题，掌握了“高品质、低缺陷碳化硅单晶衬底”制备技术并实现技术成果转化，产品品质比肩国际先进水平。

该公司研发的碳化硅单晶衬底直径已涵盖4英寸、6英寸、8英寸等不同尺寸，具有“宽禁带”“耐击穿”的特点。

碳化硅晶片根据电阻率的不同，可分为半绝缘型和导电型两种。

半绝缘型衬底主要应用于微波射频器件领域，适用于5G通信等高频、高温工作环境。导电型衬底主要应用于电力电子器件领域，适用于电动汽车中的逆变器、电机驱动器等高温、高压工作环境。