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英飞凌推出下一代碳化硅技术 CoolSiC ™ MOSFET G2 推动脱碳的高性能系统
信息来源: 发布日期:2024-03-05
盖世汽车讯 3 月 5 日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)推出下一代碳化硅(SiC)MOSFET 沟槽技术,开启电力系统和能源转换的新篇章。与上一代产品相比,新型英飞凌 CoolSiC MOSFET 650 V 和 1200 V 第 2 代将 MOSFET 的关键性能指标(例如存储能量和电荷)提高了 20%,且不影响质量和可靠性水平,从而提高了整体能源效率,并进一步推动脱碳进程。
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