近日，国内5个SiC相关项目传新进展：

● 钧联电子：SiC电驱生产基地投产，首批产品已下线；

● 长飞先进：长飞先进武汉基地项目一期预计今年7月封顶；

● 嘉盛半导体：集成电路封装测试生产项目封顶，计划今年年底竣工；

● 上海临港新片区：将打造8英寸碳化硅产业链，争取代工规模达到8万片/月；

● 成都高新区：芯华创新中心揭牌成立，启动碳化硅研发验证平台。



钧联电子：

SiC电驱基地项目投产

3月30日，钧联电子宣布，其“800V碳化硅高压电驱总成生产基地投产暨产品批量下线仪式”已举办并取得了圆满成功。

当日，钧联电子基地投产暨产品批量下线仪式正式启动；在活动展台区，钧联电子展出了部分核心产品，并对碳化硅功率模块、碳化硅电机控制器和碳化硅三合一电驱总成等展品做了详细讲解。

据“行家说三代半”此前报道，该项目于2021年12月启动，总投资约10亿元，主要从事基于碳化硅材料的多融合动力域控制器（包括MCU、OBC、DCDC、DCAC、PDU、智能控制软件、车联网等产品）的研发、销售与服务。

值得一提的是，钧联电子SiC电驱产品已上车创维EV6II。在试驾体验区，与会嘉宾亲自体验了钧联电子产品在创维EV6II车型上搭载应用实际效果，搭载产品为钧联电子自研自制的800V碳化硅三合一电驱总成（250kW），采用油冷扁线电机技术和全碳化硅功率器件，最高工作电压900V；集成BOOST升压充电功能，兼容市面上400V和800V的充电桩，通过升压实现高压快充，在7分钟时间内，可以将电池SOC从30%充至80%。

钧联电子成立于2020年，围绕碳化硅功率模块-电控-电驱总成的全链条生产供应，目前已具备年产20万台电控、10万套电驱总成和20万只功率模块的生产能力，并已通过IATF 16949质量管理体系等认证。



长飞先进：

SiC项目预计7月封顶

3月29日，据“湖北新闻”消息，武汉新城光谷片区多个站点项进展公布，其中重点关注了长飞先进武汉基地项目建设进度。

据披露，长飞先进武汉基地项目一期预计今年7月封顶，建成后可年产36万片6英寸SiC MOSFET晶圆及外延。该项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，于2023年10月开工建设，总投资预计超过200亿元，致力于建成全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂，预计2025年建设完成。

长飞先进是一家专注于碳化硅功率半导体产品研发及制造的IDM企业。此前，长飞先进还与奇瑞汽车股份有限公司签署了“汽车芯片联合实验室”战略合作协议，双方将致力于车规级SiC芯片及汽车产业的发展。



嘉盛半导体：

SiC/GaN封测项目封顶

3月29日，据“苏州工业园区发布”透露，嘉盛先创科技新建的集成电路封装测试生产项目迎来了重要的建设节点——该项目的厂房、办公楼、仓库和餐厅等均已完成主体封顶，目前正在加快推进二次结构施工及外围护施工等工作。

据介绍，该项目占地面积100亩，规划厂房面积约14万平方米，主要专注于氮化镓、碳化硅、汽车电子等先进封装。基地分两期投资建设，其中一期于2022年8月开工，目前建设进展顺利。项目计划于今年年底竣工，2025年初试运营，将成为嘉盛半导体苏州封测新基地。

嘉盛半导体成立于1972年，总部位于马来西亚，专注于为全球客户提供最广泛的半导体封装与测试服务；2022年2月，嘉盛先创科技在苏相合作区注册成立，注册资本8000万美元，由嘉盛控股 (香港) 有限公司全资控股。



上海临港新片区：

打造8英寸碳化硅产业链

3月29日，上海举办了宽禁带半导体推介活动。会上，“宽禁带半导体产业基地”正式揭牌，致力于将上海临港新片区建设成为宽禁带半导体产业基地。

临港新片区党工委副书记吴晓华表示透露，上海临港新片区计划在未来3年内，通过相关措施，打造从器件设计、衬底生产、晶圆制造、模组封装到终端应用的全产业链条；临港新片区将率先打通8英寸碳化硅产业本土供应链，培养人才扶持企业，争取代工规模达到8万片/月。

会上，还有2大签约活动成功举办：

● 临港管委会与上汽集团、理想汽车、蔚来汽车、联合汽车电子、积塔半导体、新微半导体、上海天岳、长电科技、瞻芯电子、瀚薪科技、基本半导体、凯世通半导体、中晟半导体、临港产业区公司等宽禁带半导体企业联合发起成立了“汽车—宽禁带半导体产业链联盟”。

● 积塔半导体与电子科技大学、天岳先进与西安电子科技大学两大产业链创新联合体也正式落地临港新片区。

临港新片区目标在2026年实现设备材料及晶圆制造规模超100亿元、模组器件规模超100亿元的“双百亿”成果，并成为全国宽禁带半导体产业链最全、创新能力最强、应用生态最好的基地。



芯华创新中心：

启动碳化硅研发验证平台

3月29日。据四川经济网消息，芯华创新中心揭牌仪式暨人形机器人产业圆桌论坛在成都高新区成功举办，并在会上启动了碳化硅研发验证平台。

据悉，成都高新区与清华大学电子工程系于2023年4月开展深度合作，共同成立芯华创新中心。现如今，芯华创新中心建设的碳化硅研发验证平台正式启动，该平台面向新能源汽车和新能源发电领域，围绕高集成度功率器件特色工艺技术研究和产业化，建设碳化硅功率器件高密度封装、测试研发验证生产平台。

成都高新发展股份有限公司副董事长胡强表示，该平台的上线将充分发挥资源整合优势，解决本地功率设计企业因外地流片、封装及测试而发展受限的问题，进而促进成都电子信息及半导体产业的整体发展。