成立于 2019 年的成都蓉矽半导体有限公司，在半导体-碳化硅（SiC）功率器件领域展现出强大的创新实力和发展潜力。蓉矽半导体专注于碳化硅功率器件的设计与开发，自成立以来，始终坚持自主创新，不断推出具有高性价比和高可靠性的产品。

其围绕市场需求，打造了 NovuSiC®（工业级）和 DuraSiC®（车规级）涵盖碳化硅 MOSFET、碳化硅二极管(EJBSTM)以及碳化硅模块(NovuPower®)产品。蓉矽半导体建立了符合 IATF 16949 质量管理标准的完整供应链，产品广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等众多领域。


在技术创新方面，蓉矽半导体的第二代 1200V SiC MOSFET 在器件 JFET 区域引入 n-csl 层降低比导通电阻，驱动电压优化，改善串扰问题，降低 JFET 区宽度，密勒电容降低 70%，栅氧化层场强相较前代产品降低 50%，器件可靠性显著提升。

同时，其第二代 NovuSiC® 1200V 20mΩ SiC MOSFET 产品在大功率 60kW 充电桩模块、50kW 以上储能变流器等工业领域已通过客户端测试验证。

在市场竞争激烈的当下，我国碳化硅功率器件产业仍处于发展初期。然而，蓉矽半导体凭借其卓越的技术和产品，努力缩小与国际先进水平的差距。

未来，蓉矽半导体将继续加大研发投入，沿着既定的发展规划前行，不断推出满足市场需求的高性能、高可靠性产品，为中国半导体产业的发展贡献力量。