近年来，碳化硅产业发展迅猛，众多项目传来令人振奋的新消息。


国内某项目建设环境评估公示显示，东尼电子将在浙江湖州市扩建 SiC 项目，旗下全资子公司东尼半导体负责建设，计划购置大量晶体生产加工设备及检测仪器，形成年产 20 万片碳化硅衬底材料的生产能力。此前，东尼电子已在相关领域有所布局，并与下游客户签订了大额采购合同。

瀚天天成的碳化硅产业园二期项目顺利竣工，主要建设 6 英寸碳化硅外延晶片生产线厂房及配套设施，年产能达 20 万片。目前已安装 28 条产线，预计年底增加至 50 条产线，三期项目也将于今年年内启动建设，产能规模将达 140 万片。其产品主要供应新能源汽车、光伏等领域，终端客户包括特斯拉、蔚来等头部新能源汽车品牌。

嘉兴斯达的碳化硅项目部分厂房已结顶，预计今年 9 月底完工。该项目新增用地 279 亩，新建生产厂房、研发中心等，致力于开展高压特色工艺功率半导体芯片和 SiC 芯片的研发与产业化，达产后将形成年产 72 万片功率芯片的生产能力。

广芯微电子的晶圆生产线项目封顶，全部建设完成投产后，可实现年产折合 6 英寸 240 万片特色工艺硅基功率半导体晶圆及年产 3.6 万片第三代半导体碳化硅等晶圆的生产能力，年产值达 30 亿元。

此外，浙江地区多个 SiC 项目签约落地。如浙江丽水云和县人民政府签署大尺寸碳化硅单晶衬底产业化项目意向合作协议；嘉兴国家高新区 SiC 半桥模块制造项目成功举行签约仪式；丽水市云和县特色工艺晶圆制造项目举行奠基仪式等。

中国电科 55 所即将建设 8 吋 SiC 年产能 20 万片的项目，二期项目计划于 2024 年开建。三安半导体发布消息称，携碳化硅全产业链产品亮相，并首发了 8 英寸碳化硅衬底。南砂晶圆在 8 英寸 SiC 的位错缺陷控制方面取得重大突破，其 SiC 扩产基地项目计划落地济南。