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武汉长飞先进基地200亿投资打造碳化硅产能新高地 预计2025年量产
信息来源: 发布日期:2025-02-10
观点网讯:2月10日,春节假期刚过,武汉新城的长飞先进武汉基地建设正如火如荼进行。

该项目总投资超过200亿元人民币,目前设备安装调试阶段已启动,预计2025年5月实现量产通线。长飞先进武汉基地位于高新七路,一期占地面积达344亩,将汇聚全球碳化硅半导体领域的上千位人才,打造国内碳化硅产能最大的一体化新高地。

碳化硅作为第三代半导体材料的代表,以其耐高温、耐高压、高频化、低损耗等特性,在新能源汽车、风光储、智能电网、数据中心、轨道交通等多个领域具有广泛应用,被誉为新能源领域的“下一代功率半导体”。长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚表示,一片直径6英寸的晶圆可分割出数百颗碳化硅芯片,用于5台新能源车。基地采用先进设备,产品性能将大幅提升,达产后将具备年产36万片碳化硅芯片的制造能力,有效缓解国内新能源汽车高端芯片需求。

长飞先进武汉基地项目自2023年9月1日破土动工,至2024年6月完成主体建筑结构封顶,首台晶圆厂工艺设备已于2024年底搬入,创造了百亿级投资超大项目建设的新速度。李刚表示,项目组协调各相关单位推进项目建设,提供全方位保障,预计能比原计划提前至少两个月完成。

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本文源自:观点网
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