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安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本
信息来源: 发布日期:2025-03-18
中国上海 -  2025年3 月 18日--安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM 31智能功率模块(IPM)系列。与使用第7代场截止(FS7) IGBT技术相比,安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度,从而实现比市场上其他领先解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗,支持快速开关速度,非常适用于三相变频驱动应用,如AI数据中心、热泵、商用暖通空调(HVAC)系统、伺服电机、机器人、变频驱动器(VFD)以及工业泵和风机等应用中的电子换向(EC)风机。

 

EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美 IGBT SPM 31 IPM 产品组合(涵盖 15A 至 35A 的低电流)形成互补,提供从 40A 到 70A 的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界领先的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。

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随着电气化和人工智能应用的增长,尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求,降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中,能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。

随着数据中心的数量和规模不断增长,预计对 EC 风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境,对于准确、无误的数据传送至关重要。 SiC IPM 可确保 EC 风机以更高能效可靠运行。
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