10月31日，从中北高新区获悉，该区企业山西天成半导体材料有限公司继今年成功研制12英寸导电型碳化硅单晶材料后，依托自主研发设备再度攻克12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料技术难关，实现大尺寸碳化硅核心材料双技术路线的重大突破，为区域半导体产业高质量发展注入强劲动能。

　　成立于2021年8月的天成半导体，是中北高新区培育的高新、专精特新技术企业典范。依托区域良好的创新生态，企业已构建完整自主知识产权技术体系，斩获多项专利软著，其长晶设备获欧盟CE认证，企业更通过IATF16949车规质量管理体系认证，为产品进入高端市场奠定坚实基础。目前，企业已形成”装备+耗材+工艺服务”一体化解决方案能力，率先实现8英寸至12英寸导电型与半绝缘型碳化硅单晶材料可量产化。12英寸导电型碳化硅单晶材料晶体有效厚度已突破35毫米，自主研发的长晶设备可产出直径达350毫米的单晶材料，更形成了12英寸高纯半绝缘与N型单晶生长双成熟工艺体系。这一系列成果的取得，源于企业对核心技术的持续攻坚，其先后攻克大尺寸扩径工艺、低缺陷单晶生长工艺等技术瓶颈，构建起从长晶设备制造、粉料制备、热场石墨组件制备到晶体加工的全流程自主可控生产线，产品质量达到国际领先水平。

　　此次天成半导体的技术突破，是中北高新区深耕半导体产业、强化创新驱动的生动缩影。近年来，中北高新区通过构建完善创新生态、强化要素保障，推动半导体产业集群化发展，培育出一批掌握核心技术的优质企业。今后，中北高新区将持续为企业提供全生命周期服务，支持天成半导体等企业推进技术产业化落地，加速构建新兴产业集聚区，助力半导体产业自主可控发展。

（作者：司勇）

来源：太原日报