本川智能子公司50万元牵手西安交大 发力碳化硅功率半导体封装技术
信息来源: 发布日期:2026-05-21
来源:新浪财经-鹰眼工作室
江苏本川智能电路科技股份有限公司(证券代码:300964,证券简称:本川智能)5月21日发布公告称,公司控股子公司南京本川鹏芯科技有限公司(以下简称“本川鹏芯”)近日与西安交通大学签署《技术开发(委托)合同》,委托后者研究开发功率半导体器件CIPB高密度封装技术开发项目,合同金额为50万元。
合作聚焦碳化硅封装技术前沿
根据公告,本川鹏芯此次委托西安交大研发的核心内容是碳化硅(SiC)多芯片并联嵌入式CIPB功率半导体封装技术。该项目旨在通过多物理场仿真,验证嵌入式CIPB封装在SiC多芯片并联工况下的可行性与极限边界,在设计阶段识别并消除因高dv/dt、高功率密度带来的电、热、机械失效风险,为后续工艺定型、可靠性测试和量产降本提供数字化依据。
研发内容主要涵盖三大方面:
电性能:包括三维寄生参数提取、多芯片并联瞬态均流仿真(含门极走线、Kelvin源影响)及EMI频谱分析
热性能:涉及稳态与瞬态热-流耦合(芯片→铜柱→PCB内嵌铜层→散热器的完整路径)及高温热点定位及散热增强方案评估
机械/可靠性:包含热-结构耦合应力分析、功率循环/温度循环/随机振动/板级弯曲试验仿真以及绝缘失效评估
50万元研发经费分两期支付
该技术开发合同的研究开发经费和报酬总额为人民币50万元(含税3%),由本川鹏芯按项目进度分批支付:
合同签署后30日内,支付总金额的50%,即25万元作为项目启动资金
项目最终验收通过后30日内,支付剩余25万元
知识产权归属明确 保障商业化权益
公告显示,双方约定共同享有本项目研发成果的专利申请权。在专利权使用方面:
本川鹏芯享有免费、永久、不受限制的商业化使用权,并独立享有商业化过程中获得的收益
西安交大仅可针对该专利进行学术研究使用,不得进行任何其他商业化的使用
若西安交大拟将该专利授权给第三方使用,须经本川鹏芯书面同意,并以双方名称共同对外授权,相关收益由双方协商分配
此外,本川鹏芯有权利用研究开发成果进行后续改进,由此产生的新的技术成果归其所有;西安交大也有权进行后续改进,相关成果归其所有。
战略布局高端功率电子器件赛道
本川智能表示,本次合作是公司基于长远发展战略,聚焦碳化硅功率半导体高端封装领域前沿技术,着力布局CIPB(芯片内嵌功率基板)为核心的先进封装技术平台,全面布局高端电力电子器件赛道的重要举措。
公司希望通过深度依托西安交通大学在电力电子领域的科研积淀、实验平台与技术研发优势,结合自身在PCB领域积累的精细化生产管理、质量控制经验和成熟的管理人才体系,高效推动前沿科研技术成果快速实现工程化迭代与产业化落地,形成可量产的功率模块解决方案。