（来源：国际能源网）

当AI数据中心的单机柜功率从2022年的20kW一路飙升至500kW乃至1MW以上，传统“铜铁”变压器第一次显得如此笨重而迟钝——全球性缺货、铜价高企、无法调节、部署缓慢。

就在这个当口，功率半导体龙头英飞凌在2026年开启了一场围绕碳化硅固态变压器（SST）的密集布局，节奏之快、落子之多，值得整个行业细嚼。

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英飞凌的SST布局，9个月四连击！

2025年11月，与SolarEdge联手。 双方宣布合作开发面向AI和超大规模数据中心的模块化2–5MW SST标准单元，目标直指中压电网（13.8–34.5kV）到800–1500V直流母线的直接转换，效率超过99%。这一步棋，为英飞凌此后一年的SST攻势定下了技术基调。

2026年3月24日，绑定DG Matrix。 DG Matrix宣布选定英飞凌最新一代SiC MOSFET，用于其在全球范围内部署的Interport™多端口固态变压器平台。

英飞凌工业与基础设施业务执行副总裁Andreas Weisl在官宣中直言，AI数据中心和新一代电气化系统，需要在不影响可靠性的前提下达到更高的效率和功率密度——这正是SiC固态技术的价值所在。

更值得玩味的是，英飞凌首次公开给出预测，未来五年，全球面向固态变压器的半导体市场规模有望达到10亿美元。

2026年4月，牵手为光能源。 双方依托英飞凌1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2技术，联合研发更紧凑、高效的通用型SST产品，将触角伸向国内能源电力电子市场。

2026年9月4日，落子伊顿。 工业电力设备巨头伊顿官宣深化与英飞凌的战略合作——英飞凌1200V Easy™碳化硅功率模块成功导入伊顿全新800VDC中压固态变压器（MV SST）2.0平台，推动SST技术进一步走向商业化落地。

该平台由伊顿中国深圳团队自主研发制造，遵循IEC标准体系开发，主要面向亚太、欧洲、中东及非洲市场，瞄准AI数据中心与下一代直流配电架构。

这还不算完，双方已明确将进一步探索基于EasyPACK™ 2C系列2.3kV、3.3kV SiC功率模块的新一代SST平台，向更高电压等级、更高能效进军。

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为什么一定是碳化硅+固态变压器？

固态变压器的本质，是用半导体电力电子元件取代传统变压器的铜绕组和硅钢片。

其优势堪称“降维打击”，与传统变压器相比，SST体积可缩小至前者的1/14，重量可减轻至其1/40，部署速度大幅提升；更重要的是，它能主动控制电压、电能质量和能量流，将中压电网直接转化为AI数据中心、EV充电、可再生能源系统和工业微电网所需的低压电。

但SST对功率器件的要求极为苛刻，高开关频率、高耐压、极低损耗，这恰好是碳化硅的主场。没有SiC，SST只能停留在实验室论文里。

英飞凌的押注显然不止于MOSFET。在其2026年7月的年度媒体日上，公司释放了多个关键信号，SiC JFET针对SST、固态断路器（SSCB）、HVDC等下一代供配电场景具备独特适配性。

传统变压器全球性缺货叠加铜价上行、800V HVDC架构在AI数据中心加速渗透，正在把SST推向SiC需求的下一波结构性增量。

同期，英飞凌还与西门子达成合作，向后者SENTRON 3QD2半导体断路器供应SiC功率模块。SST与SSCB，正是下一代固态配电架构的"一体两面"。

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英飞凌真正的野心，是什么？

如果只看到SST单品，就小看了英飞凌。在其面向AI数据中心的整体方案中，一条覆盖“SST—BBU（电池后备单元）—PSU（供电单元）—IBC（中间总线转换器）—CPU/GPU”的全链路供电架构已然成型。

SST采用CoolSiC方案支撑更高能效、更小体积；BBU以CoolSiC、CoolGaN与OptiMOS组合提升能效；PSU则借助SiC与GaN大幅提升功率密度。英飞凌甚至推出了24kW基于碳化硅的BBU参考设计，精准卡位AI数据中心HVDC架构需求。

这意味着英飞凌的角色正在发生质变，从“功率器件供应商”升级为“电力系统架构定义者”。其大中华区总裁潘大伟的一番话点破了这层转变：“过去，碳化硅技术主要聚焦高效电能转换；今天，碳化硅正在向电力系统级与基础设施级应用延伸。”即从设备内的器件，上移至“电力系统级方案”。

而这盘棋背后，是产能与供应链的硬支撑。英飞凌预计2027年碳化硅产能将增长10倍，力争夺取2030年全球30%的SiC市场份额；其马来西亚居林工厂产线已从6英寸向8英寸切换。

在需求侧，市场传闻台达电子与英飞凌签署了高达20亿美元的碳化硅长期供货协议。台达管理层早已放话，要用融合SiC的SST逐步取代传统变压器，并预测相关需求最迟在2027年爆发式增长。

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爆发点就在未来两年？

商业化时间表正在清晰起来。英飞凌方面此前明确表示，当前的SST产品主要以碳化硅材料和技术为基础，将率先在AI数据中心相关应用场景中迎来商用落地和需求爆发，未来两年预计会有相当规模的SST产品在AI数据中心场景中落地。

这个判断与产业侧的脉动相互印证，SST系统成本已从2022年的超过800美元/kVA降至2025年的约280–380美元/kVA，且有希望在2028年触及150美元/kVA；1200V SiC MOSFET均价在2020–2025年间下降约52%。

成本曲线一旦击穿临界点，叠加传统变压器的供应困局，SST替代传统的进程大概率会比多数人的预期更快。

从SolarEdge到DG Matrix，从为光能源到伊顿、西门子，英飞凌2026年在SST赛道的每一次出手，都是芯片+系统伙伴的组合拳。

它真正想做的，其实是凭借SiC器件的话语权，成为AI时代配电架构的定义者——当算力的尽头是电力，电力转换的每一个层级，都有它的身影。

对于国内产业链而言，信号同样明确，SST是SiC需求公认的“第六增长极”，而中压直流配电、固态断路器、HVDC的配套生态正在加速成型。

2027年，或许是这个行业真正“变天”的一年。