集微网消息（文/白雨轩）12月5日，露笑科技在投资者互动平台上就“请问公司最近SiC研发和业务进展如何？”等问询问题表示，公司碳化硅研发进程顺利，目前处于产能爬坡期。

此前，露笑科技在半年报中透露，碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。露笑科技碳化硅业务主要为碳化硅衬底片和长晶炉的生产和销售。

目前，全球碳化硅衬底产业呈现美国一家独大的局面，美国在碳化硅领域布局较早，因此占据全球碳化硅衬底约60%的市场份额。其中wolfspeed和Ⅱ-Ⅵ公司的市占率分别为45%和13%，wolfspeed的导电型衬底约占62%，半绝缘型为33%，而中国本土企业起步较晚，碳化硅衬底总体市占率在10%左右。

露笑科技指出，公司已成功研发6英寸的导电型碳化硅衬底片，衬底质量与国外厂家基本保持一致水准，并开始批量生产，长晶良率达50%，处于全球先进水平，后道切磨抛设备已经安装调试完成，处于爬坡阶段，在切磨抛设备达产后，公司即可实现大批量供货。

（校对/黄仁贵）