日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的禁带宽度远高于后两者，其禁带宽度达到4.9eV，高于碳化硅的3.25eV和氮化镓的3.4eV。而氧化镓的击穿场强理论上可以达到8eV/cm，是氮化镓的2.5倍，是碳化硅的3倍多。从功率半导体特性来看，与前代半导体材料相比，氧化镓材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电阻，从而能量损耗更低，功率转换效率更高。相关统计数据显示，氧化镓的损耗理论上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。业内普遍认为，氧化镓有望替代碳化硅和氮化镓成为新一代半导体材料的代表。中国科学院院士郝跃在接受采访时明确指出，氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一，在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。

上市公司中，新湖中宝投资的富加镓业专注于第四代半导体材料宽禁带半导体氧化镓材料的研发，目前已经初步建立了氧化镓单晶材料设计、热场模拟仿真、单晶生长、晶圆加工等全链路研发能力，现已推出2英寸及以下规格的氧化镓UID（非故意掺杂）、导电型及绝缘型产品。阿石创可根据客户需要为其定制化生产氧化镓及氧化镓混合物类的靶材产品。南大光电是全球主要的MO源供应商，部分产品可以用于制备氧化镓。