本文核心数据：市场规模，渗透率，市场预测

1、全球第三代半导体材料行业发展环境

第三代半导体材料引发全球瞩目，并成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点，美、日、欧等国都在积极进行战略部署。主要国家政府的部署情况如下：

2、全球第三代半导体材料行业技术进展
——碳化硅：8 英寸 SiC 晶圆开始商业化量产

2022 年 4 月 Wolfspeed 莫霍克谷工厂 8 英寸 SiC 衬底正式投产，9 月又宣布再次投资 13 亿美元，在北卡罗来纳州建设 8 英寸 SiC 衬底工厂 ;Onsemi 8 英寸 SiC 晶圆衬底样品面世 , 预计在 2024 年实现样品认证，2025 年实现规模出货 ;Soitec 发布首款 8 英寸 SiC 衬底产品 ;Sumitomo Metal 子公司 Sicoxs 开建 8 英寸 SiC 复合衬底产线。此外，SiC 外延供应商 Showa Denko 宣布 8 英寸 SiC 外延片样品开始供货。晶圆代工领域除汉磊、X-Fab 外，韩国 DB HiTek 和联电也在加快 8 英寸晶圆制造布局。

——氮化镓：制备出 6 英寸 GaN 单晶
Toyoda Gosei 与大阪大学合作，采用钠助溶剂液相法，在蓝宝石衬底上生长出高质量籽晶，然后再经过 HVPE 法生长出 6 英寸 GaN 单晶。GaN 衬底激光剥离技术取得进展，包括诺贝尔物理学奖获得者天野浩在内的日本研究团队发表 GaN 衬底激光减薄新技术，通过背面激光照射法来剥离器件层，最大幅度减少 GaN 衬底的消耗 ; 该技术可在器件制造之后开展，将 GaN 衬底生产效率提升 3 倍，同时省去衬底抛光工艺，有助于帮助降低 GaN 晶圆制造成本，也有望应用于 SiC 单晶切割。韩国 IVworks 与美国 Applied Materials 合作，利用 MBE 方法制备适用 1200V 的 6 英寸和 8 英寸 GaN 外延片，并通过混合 MBE 设备监测 GaN 薄膜层的厚度，以此提高产量。

3、全球第三代半导体材料行业发展现状

——市场规模

目前，第三代半导体材料研发较为成熟的材料有 SiC 和 GaN，ZnO、金刚石、氮化铝等材料的研究则尚属于起步阶段。从 SiC 和 GaN 的整体市场规模来看，2018-2022 年，全球 SiC 和 GaN 材料的市场规模逐年增长。2022 年，综合 Yole、IHS 的数据显示，全球 SiC 和 GaN 的整体市场规模达 36.1 亿美元，较 2021 年增长了 49.42%。经初步估计，2023 年全球 SiC 和 GaN 的整体市场规模或达到 43 亿美元。

——渗透率
整体来看，目前第三代半导体的发展已进入快速成长期，根据 Yole 的数据，第三代半导体功率器件 ( 含 SiC 和 GaN ) 2022 年占整体半导体功率器件市场的比例为约 5%-6.5%%。

4、市场预测：到 2029 年市场规模可达 218 亿美元
随着 5G、新能源汽车、国防军事应用的增加，全球第三代半导体材料市场在未来五年将保持较高增速增长。综合 Yole 等公司数据，CASA 预计到 2026 年 SiC 电力电子市场规模将达 48 亿美元，GaN 电力电子器件市场规模将超过 20 亿美元，合计规模将超 92 亿美元，2029 年市场可达 178 亿美元以上 ; 综合 Yole 及 Trendforce 数据，GaN 射频器件及模组市场未来几年将保持 18% 的增速，到 2026 年市场规模约为 24 亿美元，按此增速到 2029 年规模可达 39 亿美元，第三代半导体材料总体规模可达 218 亿美元。