第三代半导体碳化硅功率器件具有耐压高、耐温高和能量转换效率高等优势,在新能源汽车、光伏发电和轨道交通等诸多领域具有广阔的应用前景。我国的碳化硅产业尚处于核心技术攻关的发展阶段,国产化进程迫在眉睫。针对碳化硅功率器件研发“卡脖子”难题及实现产业化的挑战,长沙市岳麓山大学科技城管理委员会组织实施的第二批核心技术攻关“揭榜挂帅”《大功率碳化硅MOSFET及SBD芯片技术研究》项目,由浏阳泰科天润半导体技术有限公司发榜,湖南大学和东莞天域半导体股份有限公司共同揭榜,多方合作进行技术攻关。
本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:18618257367;邮箱:SiC@yuanhengliye.com。
中华人民共和国科学技术部 |中华人民共和国工业和信息化部|科技部高技术研究发展中心|半导体应用联盟|中国集成电路|北京市半导体行业协会|充电头网|深圳市半导体行业协会|汽车充电桩|中芯国际|EDA技术电子设计|无锡国家集成电路设计中心|意法半导体|电子发烧友|上海市集成电路行业协会|中国半导体行业协会|电子信息产业网|
网站主办:碳化硅二极管行业垂直门户 京ICP备10013935号-2 京公安网备 1110580000号
版权所有:碳化硅二极管行业垂直门户
技术支持:碳化硅二极管行业垂直门户 邮箱: SiC@yuanhengliye.com
关注公众号