在当今科技飞速发展的时代，碳化硅单晶半导体材料凭借其宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等一系列卓越的物理特性，已然成为支撑未来数字化、低碳产业的核心基础材料，广泛应用于电动汽车、智能电网、光伏储能、轨道交通等诸多关键领域。而在 10kV 以上的高压大功率领域，P 型碳化硅材料更是脱颖而出，展现出极为广阔的应用前景。

作为碳化硅领域当之无愧的龙头企业，天岳先进始终以其强大的硬科技实力引领行业发展潮流，为推动各相关产业的升级变革贡献着至关重要的力量。

技术突破，引领智能电网迈向新高度

近日，天岳先进再度传来捷报，成功向客户交付了高质量低阻P型碳化硅衬底，这一里程碑式的成果标志着天岳先进朝着以智能电网为代表的更高电压领域迈进了坚实且极具意义的一步。此次交付的高质量低阻P型碳化硅衬底，将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。

针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进凭借其深厚的技术底蕴和前瞻性的战略眼光，深化布局前瞻技术，在备受关注的液相法领域持续发力，继2023年公布了全球首个8英寸碳化硅晶体之后，天岳先进于2024年又一次取得了重大突破，成功推出采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。

液相法在生长高品质晶体方面具有得天独厚的优势，在长晶原理上决定了可以生长超高品质的碳化硅晶体。天岳先进布局液相法多年，目前在该领域获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。通过液相法制备的P型4度偏角碳化硅衬底，更是展现出卓越的性能，其电阻率小于200mΩ·cm，面内电阻率分布均匀，结晶性良好，为相关器件的高性能运作提供了坚实的材料基础。


市场地位彰显，多领域产品优势凸显

天岳先进在碳化硅领域的龙头地位不仅体现在技术研发的领先，其在市场占有率方面同样成绩斐然。天岳先进的n型产品市占率在全球位列第二，高纯半绝缘型碳化硅衬底产品更是连续五年在全球市占率排名第三。这一系列耀眼的数据充分证明了天岳先进在全球碳化硅市场的强大影响力。

2023年，天岳先进凭借其卓越的产品品质和领先的技术实力，与英飞凌、博世等下游功率器件、汽车电子领域知名企业签署了长期合作协议，进一步巩固了其在行业内的核心地位。

据了解，天岳先进的导电型n型碳化硅衬底产品在大功率功率器件上优势明显，尤其在电动汽车领域具有卓越优势，其车规级产品获得了国际客户的高度认可，实现了6英寸和8英寸碳化硅导电型衬底产品批量销售。而其高纯半绝缘碳化硅衬底产品，为高频高输出的射频器件提供了高品质的材料基础，适用于5G基站射频器件，卫星通信等应用场景。

天岳先进秉承智能制造理念，用科技实力践行社会责任。依托在技术、产能、服务、理念等方面的领先优势，天岳先进持续加大研发投入实现技术提升，致力于持续为客户提供优质衬底材料，满足芯片最高安全需求，用产业经验保证碳化硅功率半导体行业向新高度发展，为绿色低碳高质量发展贡献天岳力量。

作为碳化硅领域的龙头企业，天岳先进以其卓越的硬科技实力和突出的市场表现，在推动行业发展、助力产业升级以及实现绿色低碳目标等诸多方面发挥着不可替代的作用，无疑是我国乃至全球碳化硅产业发展的中流砥柱。

免责声明：本文为本网站出于传播商业信息之目的进行转载发布，不代表本网站的观点及立场。本文所涉文、图、音视频等资料之一切权利和法律责任归材料提供方所有和承担。本网站对此资讯文字、图片等所有信息的真实性不作任何保证或承诺，亦不构成任何购买、投资等建议，据此操作者风险自担。

本文为转载内容，授权事宜请联系原著作权人。