专利摘要显示，本实用新型的碳化硅功率模块结构包括碳化硅功率模块10和直流母线电容20。碳化硅功率模块10包括功率模块本体11和若干输入端铜排12 输入端铜排12安装于功率模块本体11一侧的侧壁上，输入端铜排12平行放置、且平行放置的输入端铜排12之间夹设有绝缘层13；直流母线电容20包括电容本体21和若干输出端铜排22，输出端铜排22安装于直流母线电容20一侧的侧壁上，输出端铜排22平行放置、且平行放置的输出端铜排22之间形成有收容空间23；其中，两个平行的输入端铜排12与两个平行的输出端铜排22对应，输入端铜排12安装于对应的输出端铜排22之间的收容空间23内。本实用新型解决了功率模块无法完全发挥碳化硅功率半导体的优势的问题。