金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，武汉金信新材料有限公司申请一项名为“一种碳化硅长晶时晶体厚度及质量的测量系统及方法”的专利，公开号CN 119046838 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅长晶时晶体厚度及质量的测量系统及方法，涉及半导体长晶辅助技术领域。包括数据收集：收集待测量晶体的初始测量信息并进行融合，得到参数数据信息；实时监测：基于参数数据信息，构建监测模型，监测晶体生长过程，输出预测结果；质量测量：基于预测的结果，使用评估方法实时评估碳化硅晶体的质量，得到质量评估结果。本发明通过实时监测晶体生长过程，可以在生长周期内及时发现并调整工艺参数，避免因等待晶体出炉后才发现质量问题而导致的多次试生产，从而显著提高生产效率，基于建立的质量标准和量化评分机制，能够对碳化硅晶体的各项质量指标进行精确评估，从而有效保障产品质量。

本文源自：金融界