了解更多详情

关注公众号

您当前所在位置:首页 > 厂商新闻 > 天成半导体成功制备 14 英寸碳化硅 (SiC) 单晶材料
天成半导体成功制备 14 英寸碳化硅 (SiC) 单晶材料
信息来源: 发布日期:2026-03-13
IT之家消息,山西天成半导体材料有限公司成立于 2021 年 8 月,是一家专注于碳化硅 (SiC) 衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。其本月 11 日宣布成功制备出 14 英寸 SiC 单晶材料,有效厚度达 30mm。


IT之家了解到,14 英寸 SiC 单晶材料的主要应用场景为 SiC 部件,即以 SiC 及其复合材料为主要材料的设备零部件,面向刻蚀、外延、沉积等主要半导体制造环节工艺设备的需求。
版权声明

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:18618257367;邮箱:SiC@yuanhengliye.com。

网站主办:碳化硅二极管行业垂直门户 京ICP备10013935号-2 京公安网备 1110580000号

版权所有:碳化硅二极管行业垂直门户

技术支持:碳化硅二极管行业垂直门户 邮箱: SiC@yuanhengliye.com

关注公众号

关于我们|联系我们Copyright © 2012 - 2022 碳化硅二极管行业垂直门户. All Right Reserved