光伏发电在全球的发展如火如荼，SiC 二极管在光伏发电的地位非常重要，在逆变单元起着保护开关管的作用。如IGBT 的CE并没有二极管特性，若使用SiC MOS ，SiC MOS 二极管压降比较高，损耗较大，所以需在开关管DS上反向并联一个二极管。因SiC二极管耐高压、耐高温、抗辐射强、功率密度高、容易冷却，愈来愈受到市场的青睐，碳化硅二极管器件具有正向压降低、反向特性好、频率响应快等特点，在光伏逆变MPPT为200V-1000V大功率的条件下更具有优势。针对光伏逆变器市场的特殊需求，森国科推出的KS20120-C(1200V/20A)，KS40120-C(1200V/40A)JBS碳化硅器件，封装有TO-247-2、 TO-247-3 、TO-263等，封装类型可定制。

森国科推出的1200V系列碳化硅二极管KS20120-C、KS40120-C，静态参数耐压在高，正向压降低，漏电流在纳安的数量级上。反向恢复特性、器件热阻特性、雪崩耐量特性优秀，因超快的开关速度且无反向恢复电流，与硅器件相比，大大降低开关损耗，减小产品电磁线圈以及相关无源组件的尺寸，从而提高组装效率，减轻系统重量，并降低物料成本。

可靠性实验是验证产品质量的重要手段之一，是预测产品在未来各种应用环境使用的过程中是否能够持续正常工作的评价方法。根据产品的应用条件，设计了五个可靠性实验，他们分别是高温反向偏置实验HTRB，高温高湿反向偏置实验H3TRB、间歇工作寿命实验IOL、压力锅实验AC和温度循环实验TC。

按照JEDEC的相关标准，对产品的实验项目进行评估认证，以下是相关实验条件：

A）HTRB T=150℃ Reverse biased 960V t=1000hour

B）IOL △Tj≥100℃ ON2min OFF4min Cycle=10000

C）H3TRB T=85℃ RH=85% Reverse biased 100V t=1000 hour

D) TC T=-55℃15min T=150℃15min Cycle=1000

E) AC T=121℃ RH=100% 15psig t=96 hour

森国科推出的KS20120-C、KS40120-C通过了以上五项的可靠性认证实验，达到了JEDEC的可靠性实验的标准。合作伙伴认为森国科推出的SiC 肖特基二极管特性优异，已经达到替换国际主流品牌同类产品的要求。

森国科SiC二极管系列产品主要分为650V和1200V系列，使用6寸晶圆生产，车规级的生产工艺，具有高耐温，高频，高效，高压特性，在广大高功率电源产品中得到广泛应用。主要应用于矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块、新能源汽车充电机、光伏逆变器等。

森国科（SGKS）2013年成立于深圳市，属于无晶圆半导体设计企业，产品覆盖碳化硅（SiC）功率器件、无刷电机驱动（BLDC）芯片、Vision-ADAS 及 AI 记录仪芯片。