近日，毅达资本完成对第三代半导体企业南京宽能半导体有限公司（简称“宽能半导体”或“公司”）的天使轮投资。本轮企业融资总额超2亿元。

宽能半导体成立于2021年 11 月，公司核心团队包括多名国际一流的碳化硅半导体工艺和制造专家，掌握碳化硅器件全工艺流程核心技术，并具备20年以上相关产品量产经验。公司首条产线已经落地南京，正在建设中，预计建成后将成为国内最大的碳化硅半导体晶圆厂之一。


半导体材料作为产业发展的基础经历了数代更迭，目前超90%的半导体产品仍是以硅为衬底制成的，但受限于材料自身物理特性，硅基功率器件难以满足新能源汽车及光伏逆变器等新兴应用对器件高功率、高频性能的需求。以碳化硅为代表的第三代半导体由于其优异的物理性能逐步受到市场关注，并成为制作大功率高频器件的理想材料。

根据Yole预测，到2025年新能源汽车将是碳化硅功率器件最主要的应用。随着新能源汽车销量的快速提升，碳化硅功率器件在电机驱动、OBC、DC/DC等部件中的应用还将为其打开更加广阔的市场。全球电动汽车领导者特斯拉已在Model3上使用碳化硅MOSFET作为其马达逆变器解决方案，以取代传统硅基IGBT。预计未来新能源汽车上碳化硅MOSFET的需求量将远超于碳化硅二极管，无法生产高良率碳化硅MOSFET的器件厂将失去市场。而器件制造作为碳化硅产业链的重要环节，对产品的良率和性能起到决定性作用。

宽能半导体深耕功率半导体器件代工领域，为国内外半导体设计公司和IDM厂商提供高良率、高品质且具竞争力的产品。公司的自有标准工艺平台可协助客户迅速导入量产，促进工艺技术迭代。同时公司支持新产品开发，提供客制化工艺服务。公司同时具备沟槽型MOSFET工艺。由于目前全球可量产的碳化硅沟槽结构高度稀缺，仅有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋结构，器件结构的技术壁垒将为公司产品带来成本和性能上的优势。