碳化硅器件的出现大大的改善了半导体器件的性能，满足国民经济和国防建设的需要，目前，美国、德国、瑞典、日本等发达国家正竞相投入巨资对碳化硅材料和器件进行研究。美国国防部从 20 世纪 90 年代就开始支持碳化硅功率器件的研究，在 1992 年就成功研究出了阻断电压为 400 V 的肖特基二极管。碳化硅肖特基势垒二极管于 21 世纪初成为首例市场化的碳化硅电力电子器件。美国Semisouth 公司研制的 SiC SBD（100 A、600 V、300 ℃下工作）已经用在美国空军多电飞机。由碳化硅 SBD 构成的功率模块可在高温、高压、强辐射等恶劣条件下使用。目前反向阻断电压高达 1200 V 的系列产品，其额定电流可达到 20 A。碳化硅 SBD 的研发已经达到高压器件的水平，其阻断电压超过 10000 V，大电流器件通态电流达 130 A的水平。 

SiC PiN 的击穿电压很高，开关速度很快，重量很轻，并且体积很小，它在 3KV以上的整流器应用领域更加具有优势。2000年Cree公司研制出19.5 KV的台面PiN二极管，同一时期日本的 Sugawara 研究室也研究出了 12 KV 的台面 PiN 二极管。2005 年 Cree 公司报道了 10 KV、3.75 V、50 A 的 SiC PiN 二极管，其 10 KV/20 A PiN二极管系列的合格率已经达到 40%。

SiC MOSFET 的比导通电阻很低，工作频率很高，在高温下能够稳定的工作，它在功率器件领域很有应用前景。目前国际上报道的几种结构：UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOS ACCUFET，以及 SIAFET 等。2008 年报道的双 RESURF 结构LDMOS，具有 1550 V 阻断电压.