近日，国内的碳化硅产线建设热度依旧：

● 泰科天润：北京工厂即将扩产，将建6-8吋碳化硅功率器件产线；

● 复旦大学宁波研究院：将投4.6亿元，未来将建2条SiC工艺和研发线。

泰科天润将在北京扩产

建6-8吋SiC功率器件生产基地

据北京市顺义区融媒体中心消息，8月20日，顺义区成交了 3 宗工业用地，其中一块工业用地将用于建设碳化硅功率器件生产基地，而该地块的竞得企业是泰科天润。

早在2011年，泰科天润就投资1.2亿元在北京建立了一条4英寸的SiC晶圆线，于2013年投产，产能为8千片/年。而此次竞得该地块，意味着泰科天润将扩大位于北京生产基地的碳化硅产能。

据悉，该地块位于顺义新城 3401 街区(中关村顺义园三代半产业基地)，面积 2.67 公顷，建筑规模 4 万平方米。泰科天润将在此建设办公研发总部基地及 6 至 8 英寸碳化硅功率器件生产基地，统筹技术开发、工程化、标准制定、应用示范等环节，支持商业模式创新和市场拓展。

泰科天润是国内碳化硅产业链走IDM模式的代表性企业，除了北京之外，他们在长沙也设有研发基地及产线。其长沙6英寸碳化硅扩建项目已经于2021年7月进入生产阶段，一期项目满产产能可达6万片/年。

宁波投4.6亿成立SiC研究院

清纯半导体已通过车规认证

据复旦大学宁波研究院官网消息，今年5月，清纯半导体的创始人张清纯博士在宁波市举办的“前湾大讲堂”系列活动之科技创新交流会表示，复旦大学宁波研究院牵头，联合复旦大学工程与应用技术研究院，共同组建了“复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所”，总投入约4.6亿元，聚焦SiC功率半导体材料缺陷表征、器件设计、器件制造工艺、封装工艺开发等主要方向，重点突破SiC材料与器件关键共性技术及先进制造工艺，联合上下游建立虚拟IDM模式。


此外，张博士还表示，未来该所将加快建设SiC器件测试与可靠性研发平台，同时建立SiC工艺中试线和SiC工艺封装研发线两条工艺线，全力创建具备国际领先水平的碳化硅半导体材料与器件高水平研发平台。

值得一提的是，张清纯博士所创立的清纯半导体推出了一款1200V/14mΩ SiC MOSFET 产品，并于近日通过了车规认证。