意法半导体在意大利建新SiC厂,新厂预计2023年投产
信息来源: 发布日期:2022-10-07
近日,意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅衬底制造厂,以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求,协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产,以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
这座新碳化硅衬底厂比邻意法半导体位于意大利卡塔尼亚(Catania)现有的碳化硅组件制造厂,未来将成为欧洲首座6吋碳化硅外延衬底的量产基地,整合生产流程中所有工序。意法半导体也致力于下一步在此开发8吋晶圆。
本计划对意法半导体推动碳化硅业务垂直整合的策略来说,是极为关键的一步。这项在五年内投资7.3亿欧元的计划,将由意大利政府透过国家复苏暨韧性计划(National Recovery and Resilience Plan)提供资金援助,全面完工后可新增约700个直接就业机会。
意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示,意法半导体正在推动其全球制造业务的转型升级,藉由提升8吋晶圆制造产能并强化专注于宽禁带半导体业务,以支持我们突破200亿美元营收的远大目标。我们将在卡塔尼亚扩大营运,这里不仅是我们功率半导体专业技术的中心,也通过与意大利研究机构、大学和供货商紧密的协力合作,整合了碳化硅的研究、开发与制造。这座新厂将成为我们碳化硅垂直整合的关键,强化我们的碳化硅衬底供应,协助我们提升产能,以支持汽车及工业客户迈向电气化并追求更高效率。
据悉,半导体材料目前已经发展至第三代,从传统Si(硅)功率器件IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金氧半场效晶体管),到以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体。第三代半导体在多个领域崭露头角。以碳化硅、氮化镓为主的第三代化合物半导体已然成为产业端、投资界的宠儿,第三代半导体材料与前两代半导体材料相比,其最大的优势是较宽的禁带宽度,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率的电子器件。
碳化硅功率元件下游市场中以汽车为最大应用,另外可再生能源、工业市场亦相当重要,预计今年碳化硅功率元件市场规模将达到15.9亿美元,至2026年可攀升至53.0亿美元。氮化镓功率元件下游市场则以消费电子为主,数据中心与通讯以及后续的汽车应用同样颇具潜力,预计今年氮化镓功率元件市场规模有望达到2.6亿美元,至2026年可成长至17.7亿美元。
根据Yole数据,预计到2023年,全球碳化硅材料渗透率有望达到3.75%。预计到2025年,碳化硅器件市场规模将达到32亿美元,年均复合增长率超30%。
以新能源汽车为例,据TrendForce集邦咨询研究,为进一步提升电动汽车动力性能,全球各大车企已将目光锁定在新一代碳化硅功率元件,并陆续推出了多款搭载相应产品的高性能车型。随着越来越多车企开始在电驱系统中导入碳化硅技术,预估2022年车用碳化硅功率元件市场规模将达到10.7亿美元,至2026年将攀升至39.4 亿美元。需求高涨之下,近期,如Wolfspeed、安森美等多家第三代半导体国际巨头竞相宣布了新建工厂计划。
意法半导体在碳化硅领域的先驱地位,得益于25年来专注于投入研发工作,同时拥有大量关键的专利组合。多年来卡塔尼亚一直是意法半导体重要的创新据点,也是其碳化硅研发及制造业务的最大基地,成功开发出许多新的解决方案,制造出更多、更好的碳化硅组件。通过构建起功率电子生态系统,包括意法半导体与不同利益相关方(大学、与意大利国家研究委员会相关的设备及产品制造商)之间长期且成功的合作关系、庞大的供应商网络,这项投资将巩固卡塔尼亚作为全球碳化硅技术创新中心的地位,并带来更多未来成长契机。
意法半导体先进的量产碳化硅产品STPOWER SiC,目前由位于卡塔尼亚及新加坡宏茂桥的晶圆厂进行生产,封装测试等后端制造则在中国深圳及摩洛哥的布斯库拉(Bouskoura)完成。基于上述制造实力,新碳化硅衬底厂的投资对意法半导体于2024年之前实现40%衬底来自内部采购的目标来说,无疑是一重大里程碑。