晶盛机电宣布成功研发出了8英寸的N型SiC晶体

据悉，本次研制的8寸碳化硅单晶具有25毫米厚、214毫米的晶片，是晶盛公司在研制大型碳化硅单晶方面的一项重要突破。不仅解决了8寸碳化硅晶体生长中存在的温度不均、晶体开裂、气相原料分配等困难，而且还解决了在生产成本方面存在着较高的衬底比例问题，为大尺寸碳化硅衬底的推广应用奠定了坚实的基础。

数据表明，碳化硅是一种宽的禁带结构的半导体材料，它是一种典型的半导体器件，它的禁带宽度宽，耐高温，耐高压，高频，大功率，抗辐射，开关速度快，效率高，产品功耗低，能量转换效率高，产品体积小。目前，碳化硅半导体器件的应用范围广泛，如：高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等。


要知道，碳化硅的成长速度也很慢，不能像硅材料一样，用来制作几米长的晶体。由于碳化硅的体积很小，一般都是100毫米到150毫米的晶片。另外，碳化硅是一种很高的脆性材料（莫氏硬度分布范围为9.2~9.6，只比钻石的硬度低0.5)，所以，碳化硅晶片的制作损失很高（一般损失达到2/3)，并且其良品率也很低。

在第九届中国电子信息技术年会暨2020工业与技术前景研讨会上，英飞凌电源及传感器事业部营销总监程文涛表示：“碳化硅的生产工艺要求很高，所以目前国内碳化硅的生产厂家，大部分都是IDM公司。目前，Wolfspeed占据了全球碳化硅芯片的60%，而美国的II-VI则占据了16%。”

然而，在技术进步的同时，国内几家大型企业也纷纷推出了8寸碳化硅芯片。与6吋碳化硅晶片相比，8吋碳化硅晶片的使用面积可增加近一倍，从而大大提高了产能和生产力。

早在2015年，Wolfspeed，罗姆，II-VI公司就已经推出了8英寸的SiC基板，Wolfspeed将投资10亿美元，并于四月份开始制造8英寸的SiC；

英飞凌公司于2020年九月公布了其八吋硅片生产线；

罗姆旗下的SiCrystal公司，有望在2023年左右大规模生产8英寸的基板；

意法半导体将于2021年七月发布第一款8吋的碳化硅片。意法半导体称，其第一代8吋碳化硅晶片品质优良，极少会出现晶片良率及晶粒位错等问题。

Soitec公司于2022年五月推出了8寸的碳化硅基板，并于2022年三月开始建造新的芯片工厂。

五月，法国的Soitec公司也推出了它的第一款8吋SmartSiC芯片。

然而，由于碳化硅装置的产线大多仍为6吋，所以要将硅片提升至8吋，则必须更新与更新生产装置及整个支援生态。现在，龙头企业也在与产业链上游的技术供应商进行合作，共同研发自己的生产设备和生产流程。