了解更多详情

关注公众号

您当前所在位置:首页 > 行业百科 > SiC-MOSFET、SiC模块产品的栅极驱动电压需要负 偏压吗?
SiC-MOSFET、SiC模块产品的栅极驱动电压需要负 偏压吗?
信息来源: 发布日期:2022-01-31
FET OFF状态下漏极电位上升时,基于栅-漏间电容的AC耦合现象,栅极电位可能上升。代表性的应用有串联的电桥驱动。
为防止基于误导通的短路破坏,推荐使用负偏压。
增加栅极-漏极间的电容也能抑制栅极电位上升。
另外,通过栅极-漏极间连接米勒钳位MOSFET实现彻底短路,可防止栅极电位上升。请注意因噪音引起米勒钳位MOSFET误工作。
版权声明

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:18618257367;邮箱:SiC@yuanhengliye.com。

网站主办:碳化硅二极管行业垂直门户 京ICP备10013935号-2 京公安网备 1110580000号

版权所有:碳化硅二极管行业垂直门户

技术支持:碳化硅二极管行业垂直门户 邮箱: SiC@yuanhengliye.com

关注公众号

关于我们|联系我们Copyright © 2012 - 2022 碳化硅二极管行业垂直门户. All Right Reserved