随着光伏投资成本的下降及发电效率的提升,全球已经进入光伏平价时代。光伏因具有绿色环保,取之不尽,用之不竭的特点,近年来呈高速发展态势。根据中国光伏协会预测,未来五年全球光伏市场最高年均新增装机可达到287GW,2025年最高可达391GW,年复合增速...
【TechWeb】4月20日消息,强茂半导体推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基势垒二极管系列,与硅基础的组件相比,它们提供了出色的开关性能和更高的可靠性。 强茂最新发布的650V和1200V碳化硅二极管产品系列采用通孔型TO-220AC、TO-263、TO-252...
碳化硅(SiC)是碳和硅的化合物,碳化硅单晶材料目前采用物理气相输运(PVT)法,在超过2000℃的高温下,将碳粉和硅粉通过高温分解成原子,通过温度控制沉积在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶体。碳化硅是第三代宽禁带半导体材料,与硅(Si)相比,碳化硅的介...
MOSFET作为不可替代的基础性产品,被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下, MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高,无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商, 可提供20V-1700V,包含...
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求,需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此,基本半导体推出的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)...
碳化硅属于第三代半导体材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和 漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表,相较于硅材料等前两代半导体 材料,其禁带宽度更大,在击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键 参数...
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