MOSFET作为不可替代的基础性产品,被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下, MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高,无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商, 可提供20V-1700V,包含...
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求,需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此,基本半导体推出的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)...
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