SiC器件：核心需要判断该第二代动力方案的使用范围，有两种可能：

①仅用于2/Q等中低端车型。

②同样用于3/Y等原有车型。

要点1：若仅Q/2新车型使用，则主要是切入中低端市场，利好SiC市场需求。原本市场认为SiC渗透进入中低端车型需产品价格大幅下降，现在新方案有望加速推进渗透。

要点2：若3/Y等原有车型采用，则可能会是SiC+IGBT方案；该方案难度很高，功耗也会略有提升，对封装等都会有极大的改变，也会对整个汽车市场格局产生影响。

要点3：①国外SiC MOS进展由ST的650V 20mΩ逐步推到Rohm/cree的17/15mΩ，到当前最新的英飞凌的5mΩ；②国内士兰微、国联万众（中瓷）、瞻芯、清纯等逐步推出主驱SiC MOS。

要点4：SiC MOS上主驱偏好IDM厂商（若出现问题方便追踪溯源），利于更新迭代，享受规模效应。

要点5：当前衬底市场，特别是良率及产品质量合规的衬底依然紧缺。欧美SiC衬底扩产不及预期，国内SiC产能规划激进，但落地存在不确定性。

隔离芯片：隔离驱动及隔离运放用量取决于电机结构，永磁及感应电机均为3相6驱动，与SIC用量并无关系。

要点1：近年国内车厂使用国内汽车模拟芯片意愿明显增强，功率器件改变不影响底层隔离芯片用量，域控架构对隔离接口使用量略有影响。

重点关注公司：

纳芯微（日跌幅-7%）

中瓷电子（日跌幅-9%）

天岳先进（日跌幅-10%）

东尼电子（日跌幅-10%）

风险提示：产品进度及需求不及预期；竞争加剧导致格局恶化。

来源：浙商证券