插播：2023【极光奖】申报开始啦，将评选出SiC和GaN领域的【十强企业】、【年度企业】、【年度优秀产品】等奖项，申报点文末“阅读原文”。

近日，4个SiC相关项目迎来新进展，涉及器件、石墨耗材及设备等环节：

● 长飞先进：武汉SiC基地项目开工建设，预计2025年建设完成。

● 晶升股份：拟建设半导体晶体生长设备总装测试厂区项目。

● 恒程材料：投资10亿建设静压石墨材料项目。

● 邦芯半导体：化合物半导体核心装备产研项目签约落户上海临港。


长飞先进：

武汉SiC基地项目开工

10月26日，据“中国光谷”官微消息，2023年四季度武汉市重大项目集中开工活动举行，现场集中开工31个重大项目，总投资278.7亿元，其中包括长飞先进武汉基地项目。

此前，长飞先进宣布拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。资金来源包括约36 亿元的股权融资，以及约24 亿元的银行贷款。

其中，项目建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设完毕后将形成年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块的能力。该项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地。

长飞先进是一家专注于碳化硅功率半导体产品研发及制造的IDM企业。本月20日，长飞先进与奇瑞汽车股份有限公司签署了“汽车芯片联合实验室”战略合作协议，双方将致力于车规级SiC芯片及汽车产业的发展。


晶升股份：

签署设备项目协议

10月30日晚，晶升股份发布公告称，晶升股份拟与南京经济技术开发区管理委员会签署《半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目投资协议书》，拟在南京经济技术开发区投资半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目。

晶升股份成立于2012年2月，从事8-12英寸半导体级单晶硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发；2023年4月，晶升股份正式登陆科创板。

2023年H1，晶升股份营收1.14亿元，同比增长75.79 %；净利润0.15亿元，同比上升447.17%。报告期内，晶升股份开展了多个SiC设备在研项目，包括8英寸碳化硅单晶炉改进、碳化硅单晶炉自动化系统开发、电阻炉大尺寸碳化硅单晶生长工艺研究、碳化硅原料合成工艺优化、多片式碳化硅外延设备开发等。


恒程材料：

石墨材料项目签约

10月28日上午，江苏安宜镇等静压石墨材料项目于城南工业园成功签约，县、镇相关领导、城控集团及企业代表等出席活动。


据介绍，等静压石墨材料项目由江苏恒程半导体材料有限公司投资，项目计划总投资10亿元，其中一期设备投入5000万元，二期设备投入2亿元。项目占地约150亩，建筑面积约为4.6万平米，其中一期3.2万平米。

资料显示，恒程材料成立于2020年4月，主营超高纯碳素制品、外延用石墨基盘、SiC晶体生长材料，在等静压石墨材料的生产上有行业领先的技术优势，当前等静压石墨材料应用场景广泛，常用于冶金、光伏、半导体、模具等行业。


邦芯半导体：

装备产研项目签约

8月28日，据“临港蓝湾”官微消息，上海邦芯半导体科技有限公司硅基及化合物半导体核心装备产研项目签约入驻临港蓝湾，将进一步推动等离子刻蚀、等离子体去胶和薄膜沉积等关键技术的深化。

资料显示，邦芯半导体成立于2020年，公司专注于第三代化合物半导体领域，研发了众多拥有自主知识产权的产品。10月中旬，邦芯半导体完成B轮融资，此次融资旨在加快第三代化合物半导体设备研发布局，推动企业向特色工艺、先进工艺装备制造迈进。

此外，邦芯半导体旗下全资子公司——谙邦半导体也已落户临港新片区，致力于化合物半导体刻蚀设备、化合物芯片介质刻蚀设备等产品的研发和生产，实现国产化替代。核心自研产品已应用于中芯国际、积塔半导体等SiC企业。