SiC 材料拥有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等特性，SiC 基的 SBD 以及 MOSFET 更适合在高频、高温、高压、高功率以及耐辐射的环境中工作。在功率等级相同的条件下，采用 SiC 器件可满足功率密度更高、设计更紧凑的需求。


碳化硅相较于传统硅晶圆有更高的功率密度、让设备的尺寸和体积更小、相应的电池体积也会更小，因此可以延长电池使用寿命，让电动车的行驶里程更远。例如，特斯拉的 Model 3 就是用碳化硅取代传统的硅基底芯片来做电流转换模组。


碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅材料则主要以在导电型碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层，应用在各类功率器件上，近年来随着技术工艺的成熟、制备成本的下降，在新能源领域的应用持续渗透。


碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，有望成为未来被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。