财联社资讯获悉，SiC材料特性优异，新能源汽车、光伏驱动行业成长。当前全球SiC衬底总年产能约在40~60万片等效6英寸，无法满足下游旺盛需求。此前，半导体晶圆大厂环球晶董事长徐秀兰表示，碳化硅（SiC）产能满载、供不应求，仍在持续扩产，预计今年Q4、明年Q1将贡献显著营收。
SiC是第三代半导体材料，其具备极好的耐压性、导热性和耐热性，是制造功率器件、大功率射频器件的突破性材料。
根据Wolfspeed预计，2022年全球碳化硅器件市场规模达43亿美元，2026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。
当前SiC功率器件价格较高，是硅基IGBT的3~5倍左右，但凭借优异的系统节能特性，SiC器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。
引领行业变革，新需求快速涌现
新能源汽车是碳化硅功率器件下游第一大应用市场，根据民生证券测算，2026年全球应用于新能源汽车主驱逆变器的SiC器件市场规模有望达44亿美元。
为了提升电动汽车充电速度、缓解里程焦虑，小鹏、比亚迪、长城、保时捷、现代等整车厂陆续推出800V高压平台车型，有望推动SiC器件在新能源汽车中渗透率进一步提升。
国内企业产品验证进程加速
东莞证券指出，近年来，国家陆续出台政策鼓励SiC行业发展与创新，叠加SiC衬底向大尺寸演进，有效提升材料使用率，以及晶棒、衬底良率持续提升，未来碳化硅器件的生产成本有望持续下降，预计在高电压场景中将先具备替代优势。
目前海外厂商在碳化硅领域占据先发优势，国内企业仍在起步阶段，技术不断追赶同时产能尚在爬坡，随着国内企业产品得到验证进程加速，下游厂商认可程度不断提升，海外企业与国内企业差距相对缩小，本土化具备广阔的市场空间。
行业相关公司
晶盛机电已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证。
时代电气表示，在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、 8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。
三安光电表示，截止2022年6月末，湖南三安已到产能 6000片/月。公司碳化硅衬底已向多家国际大厂送样验证，已获得客户的验证通过并实现销售。