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碳化硅如何提升电动汽车续航里程?
信息来源: 发布日期:2022-10-24
在车企的宣传中,我们能听到最多的是,采用SiC后汽车的电耗表现、续航里程、性能等指标都会有大幅提升。目前来看,在电动汽车中用得最多的依然是硅基IBGT,那么相比硅基IBGT,SiC器件是通过哪些途径去提升电动汽车的续航里程?

具体到SiC器件特性而言,相关人士表示:相比于硅基IGBT,SiC MOSFET在器件关断时无明显的拖尾电流,进而可以降低器件的开关损耗;同时电动汽车在匀速行驶状态下,电控所需输出的电流大小远低于额定电流值,而SiC MOSFET在中低电流下的导通损耗显著低于IGBT。


尤其是SiC MOSFET在轻载时的损耗远远小于IGBT。由于电动汽车在城市中行驶时,绝大多数时间工作在轻载工况,SiC MOSFET所减少的损耗可以折算为5%-10%的电池续航里程。

不过,这只是SiC MOSFET器件对电动汽车续航里程的直接影响。另一方面,由于SiC MOSFET可工作于更高的开关频率下减少了损耗,对散热要求较低,可有效减小驱动部件及水冷部件的重量及体积。

同时,800V及以上的高压平台,也开始在一些中高端车型上被应用。在高压平台上,若采用800V直流母线,传输相同功率所需的导线截面积也可以缩小,使得整车铜导线重量显著减少。因此,在采用SiC MOSFET后,综合驱动部件、散热部件以及线束的重量减轻,整车重量降低,也能够间接帮助提升续航里程。

续航里程和补能速度,是目前电动汽车的两大痛点之一,对于SiC的加入,你怎么看呢?欢迎评论区留言~

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