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碳化硅MOS的优势
2022-05-05
硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制，高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在开关电路中不存...
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【关注】碳化硅SiC行业研究
2022-04-29
碳化硅属于第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和 漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表，相较于硅材料等前两代半导体 材料，其禁带宽度更大，在击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键 参数...
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碳化硅的化学性质
2022-04-15
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SiCer小课堂｜碳化硅肖特基二极管技术演进解析（一）
2022-04-12
化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。
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碳化硅的性质
2022-04-12
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碳化硅的主要应用
2022-04-11
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碳化硅二极管用于PD快充的优势
2022-04-10
当下，随着USB-PD快充技术的普及和氮化镓技术的成熟，大功率快充电源市场逐渐兴起，碳化硅二极管也开始在消费类电源市场中崭露头角，被部分100W大功率氮化镓快充产品选用。
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利用碳化硅的特性可运用在我们那些学习方面
2022-04-10
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最全！20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件，工温最高175℃
2022-04-02
MOSFET作为不可替代的基础性产品，被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下， MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高，无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含...
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SiCer小课堂｜图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用
2022-03-22
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此，基本半导体推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）...
