碳化硅由于化学性能稳定、导热性高、热膨胀系数小、耐磨性好,除磨料外还有许多其他用途,例如:采用特殊工艺在涡轮叶片或缸体内壁上涂覆碳化硅粉末,可提高其耐磨性,将使用寿命延长1~2倍;耐火材料先进,耐热、体积小、重量轻、强度高,节能效果好。低品位碳...
碳化硅JFET有着高输入阻抗、低噪声和线性度好等特点,是目前发展较快的碳化硅器件之一,并且率先实现了商业化。与MOSFET器件相比,JFET器件不存在栅氧层缺陷造成的可靠性问题和载流子迁移率过低的限制,同时单极性工作特性使其保持了良好的高频...
硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制,高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围,同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在开关电路中不存...
碳化硅属于第三代半导体材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和 漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表,相较于硅材料等前两代半导体 材料,其禁带宽度更大,在击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键 参数...
当下,随着USB-PD快充技术的普及和氮化镓技术的成熟,大功率快充电源市场逐渐兴起,碳化硅二极管也开始在消费类电源市场中崭露头角,被部分100W大功率氮化镓快充产品选用。
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