熟悉半导体领域的朋友都知道，随着科技的进步，半导体材料已经演化到了第三代，即碳化硅（SiC）和氮化镓材料。

而这其中，SiC已经乘着新能源和电动车的东风，开始了加速应用的模式，SiC功率组件也被称为半导体和新能源的交汇点。

碳化硅受到如此强烈的关注，原因主要体现在三个方面：

第一点，SiC 具有宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率的物理性能，使其有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等优点，可降低下游产品能耗、减少终端体积。

第二点，碳化硅的热导率大幅高于其他材料，从而使得碳化硅器件可在较高的温度下运行，同时高热导率有助于器件快速降温，从而下游企业可简化器件终端的冷却系统，使得器件轻量化。

第三点，碳化硅具有较高的能量转换效率，且不会随着频率的提高而降低，碳化硅器件的工作频率可以达到硅基器件的 10 倍，相同规格的碳化硅基 MOSFET 总能量损耗仅为硅基 IGBT 的 30%。

碳化硅性能超群，其产业链也因此涉及多个复杂技术环节，包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。

其中，衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，占比最高接近50%。

对此，国内厂商正在积极布局，着力寻找器件市场突破空间。

下游厂商对碳化硅器件稳定性要求较高，验证周期较长，国内厂商切入过程较慢，现有规模相对较小。

但随着新能源车、光伏、储能、智能电网等下游应用领域持续高景气。

众人拾柴火焰高，第三代半导体材料与国计民生、国家安全有着千丝万缕的联系，同时中国也已不再是过去的中国。

在新环境、新形势、新挑战与新机遇下，必将力争上游，拿下这块产业高地，不再被他国扼住脖子，在半导体领域实现国产自主指日可待！

来源于米格实验室，作者米格小编